EPC90122: 80 V、40 Aの開発基板
開発基板EPC90122は、エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2206を搭載し、最大デバイス電圧80 V、最大出力電流40 Aでゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。
開発基板EPC90122は、面積が2インチ×2インチ（1インチは2.54cm）で、ハーフブリッジ構成の2個のeGaN FET（EPC2206）と、米テキサス・インスツルメンツのゲート・ドライバLMG1205を搭載しています。
GaN FET のEPC2206の評価プロセスを単純化するために、最適なスイッチング特性のためのすべての重要な部品がレイアウトされ、実装されています。ビデオ：EPCの開発基板をプロトタイプに変える方法