EPC90149: 40 V、40 AのGaNベースのハーフブリッジ開発基板

EPC90149:EPC2066を使った40 V, 40 Aのハーフブリッジ開発基板

EPC90149の開発基板

EPC90149は、定格40 VのeGaN® FET(EPC2066)を搭載し、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジ開発基板です。 この開発基板の目的は、ほとんどの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品を搭載することによって、EPC2066の評価プロセスを単純化することです。

開発基板のEPC90149のサイズは2インチ×2インチ(1インチは2.54 cm)で、ハーフブリッジ構成の2個のeGaN FET(EPC2066)と、ブートストラップ電源を増強するために使う1個のGaN FET(EPC2038)が搭載されています。EPC90149は、台湾uPI Semiconductorのゲート・ドライバuP1966Eを備えています。この基板には、すべての重要な部品も含まれており、レイアウトは最適なスイッチング特性をサポートします。簡単な波形測定と効率計算を容易にするために、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。

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