EPC90150：EPC2307を搭載した200 V、20 Aのハーフブリッジ開発基板
The EPC90150 is a half-bridge development board with onboard gate drive featuring the 200 V rated EPC2307 eGaN®FET
。この開発基板の目的は、多くの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品を搭載することによって、EPC2307の評価プロセスを単純化することです。
開発基板EPC90150のサイズは2インチ×2インチ（2インチは2.54 cm）で、米オン・セミコンダクターのゲート・ドライバNCP51820を備え、ハーフブリッジ構成の2個のGaN FET（EPC2307）を搭載しています。この基板には、すべての重要な部品が搭載されており、レイアウトは最適なスイッチング特性をサポートしています。簡単な波形測定と効率計算を容易にするために、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。