EPC90168:GaN FETのEPC2370を搭載したハーフブリッジ評価基板

EPC90168:EPC2370を搭載した15 V、65 Aのハーフブリッジ開発基板

EPC90168の開発基板

EPC90168は、定格15 VのEPC2370(eGaN® FET)とゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ開発基板です。この開発基板の目的は、ほとんどの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一基板上に、すべての重要な部品を備えることによって、EPC2370の評価プロセスを簡素化することです。

開発基板EPC90168の面積は、2インチ×2インチ(1インチは2.54 cm)で、ハーフブリッジ構成の2個のEPC2370(GaN FET)が搭載されています。EPC90168は、ゲート・ドライバUp1966Eを備えています。この基板には、すべての重要な部品が含まれており、レイアウトは最適なスイッチング特性をサポートします。簡単な波形測定や効率計算を容易にする多くのプローブ・ポイントも備えています。

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