VDS（最大値）、40 V
ID（最大実効値）、4 A
ハーフブリッジとドライバ
開発基板EPC9027は、ゲート駆動回路を搭載し、耐圧40V、最大出力電流4Aで動作するハーフブリッジで、エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC8007を搭載しています。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータの中に容易に接続することができる単一基板の上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETであるEPC8007の評価プロセスを単純化することです。
ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC9066を提案しています。