EPC9032 : 40 V のハーフブリッジ開発基板
EPC9032は、デバイスの最大電圧40 V、最大出力電流40 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成の開発基板です。デバイスは、エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)の EPC2024を搭載しています。
この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETであるEPC2024の評価プロセスを単純化することです。
ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC90138を提案しています。