EPC9033：開発基板

EPC9033 : 60 Vのハーフブリッジ開発基板

EPC9033は、デバイスの最大電圧60 V、最大出力電流40 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成の開発基板です。デバイスは、エンハンスメント・モード（eGaN^®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2020を搭載しています。

この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETであるEPC2020の評価プロセスを単純化することです。