EPC9040:開発基板

EPC9040:100 Vでエンハンスメント・モードのモノリシック・
ハーフブリッジ用開発基板

22 Aで97%以上のシステム効率

開発基板EPC9040は、eGaNIC(エンハンスメント•モード窒化ガリウム集積回路)のEPC2104を搭載し、ゲート駆動機能を備えたハーフブリッジ構成で、最大デバイス電圧は100 V、最大出力電流は25Aです。

この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することで、eGaNICであるEPC2104の評価プロセスを単純化することです。

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EPC9040 Efficiency Chart標準的な効率: 48 VIN – 12 VOUT

EPC9040 Parameters Table*最大入力電圧は、誘導性負荷に依存します。
**最大電流は、チップの温度、すなわちスイッチング周波数、バス電圧、熱冷却に左右される実際の最大電流に依存します。
対称なeGaN ICは、デューティ比50%、または低降圧比のアプリケーション向けです。
#ハイサイドのブートストラップ電源電圧を「リフレッシュ」するために必要な時間によって制限されます。