EPC9048 : 160 V のハーフブリッジ開発基板
開発基板のEPC9048は、最大出力電流12 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成の開発基板です。エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2034を搭載しています。この開発基板には、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート・ドライバUCC27611使用するハーフブリッジ構成の2つのeGaN FET、電源コンデンサ、バイパス・コンデンサを搭載しています。この基板には、スイッチング特性を最適化するためのすべての重要な部品を搭載し、最適にレイアウトしてあります。波形測定と効率計算を単純化するためのさまざまなプローブ・ポイントも備えています。.
ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC9099を提案しています。