EPC9059：大電流のGaN POL

大電流アプリケーション向けの30 Vの並列ハーフブリッジ評価基板

開発基板のEPC9059は、より大きな出力電流を実現するために、ゲート駆動回路を備えた単一基板に並列動作する30 VのeGaN ICであるEPC2100を2個搭載しています。

この基板は、大電流POL（負荷点）アプリケーションにおいて、集積化されたハーフブリッジ・デバイスの特性をみられます。スイッチング周波数1 MHzで動作するとき、この基板はピーク効率90％近くが得られています。