EPC9067：同期ブートストラップのゲート駆動搭載の高周波開発基板
開発基板EPC9067は、バック・コンバータ、またはZVSのD級アンプのいずれかとして構成することができます。同期ブートストラップのゲート駆動は、15 MHzまでの高周波動作と高効率を可能にします。
EPC9067は、エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC8009を搭載し、最大デバイス電圧65 V、最大出力電流2.7
Aで、ゲート駆動を備えたハーフブリッジです。ゲート・ドライバは、ゲート・ドライバ内部のブートストラップ・ダイオードの逆回復損失によって生じるハイサイド・デバイスの損失を排除するeGaN FET（EPC2038）を備えた同期整流用FETのブートストラップ回路で構成されています。