EPC9068:開発基板

EPC9068:同期ブートストラップのゲート駆動搭載の高周波開発基板

開発基板EPC9068は、バック・コンバータ、またはZVSのD級アンプのいずれかとして構成することができます。同期ブートストラップのゲート駆動は、15 MHzまでの高周波動作と高効率を可能にします。

EPC9068は、エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC8010を搭載し、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流2.7 Aで、ゲート駆動を備えたハーフブリッジです。ゲート・ドライバは、ゲート・ドライバ内部のブートストラップ・ダイオードの逆回復損失によって生じるハイサイド・デバイスの損失を排除するeGaN FET(EPC2038)を備えた同期整流用FETのブートストラップ回路で構成されています。

ステータス:廃止
テストと性能の検証のみを目的として開発した完全に組み立てられたリファレンス・デザインであり、販売していません。
さらにサポートが必要な場合は、GaNのエキスパートにお問い合わせください

* 誘導性負荷と仮定し、最大電流は、チップ温度に依存します:実際の最大電流は、スイッチング周波数、バス電圧、温度の影響も受けます。
# ハイサイドのブートストラップ電源電圧の「リフレッシュ」に必要な時間による制限。