EPC9092: 100 V, 5 Aのハーフブリッジ開発基板
開発基板EPC9092は、エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2052を搭載し、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流5 Aでゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。
開発基板EPC9092は、2インチ×2インチ(1インチは2.54cm)で、ハーフブリッジ構成の2個のeGaN FET(EPC2052)と、米テキサス・インスツルメンツのLMG1205を搭載しています。
GaN FETのEPC2052の評価プロセスを単純化するために、既存の任意のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載しています。ビデオ:EPCの開発基板をプロトタイプに変える方法