uP1966E：eGaN® FET用80 Vのハーフ・ブリッジのゲート・ドライバ

機能

  • 0.4Ω/0.7Ωのプルダウン／プルアップ抵抗
  • 高速伝搬遅延（20 ns、標準値）
  • 速い立ち上がり時間と降下時間（8 ns / 4 ns、標準値）
  • オン／オフ時能力の調整可能な出力
  • CMOS互換の入力論理（電源電圧に依存しない）
  • 電源電圧入力の低電圧ロックアウト
uP1966E: 85 V Dual-Channel Gate Driver for eGaN FETs
チップ・サイズ： 1.6 mm x 1.6 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • 絶縁型DC-DCコンバータ
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • LiDAR／パルス電力
  • POL（負荷点）コンバータ
  • D級オーディオ
  • LED照明
ステータス:アクティブ
することを許可されています。アジアでのuP1966Eのサポートについては、台湾upi semiconductorにお問い合わせください
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ハーフブリッジの例：
EPC90123		 100 V, 25 Aのハーフブリッジ評価 ¥13,788
DC-DCの例：
EPC9153		 高効率（98％以上）の250 Wのバック・コンバータ ¥35,988

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