EPC2010C：エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 200 V
RDS(on), 25 mΩ
ID, 22 A
パルス ID, 90 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2010C Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：3.6 mm × 1.6 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • 絶縁型DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • 高周波のハード・スイッチングとソフト・スイッチング
  • D級オーディオ
  • LiDAR（光による検出と距離の測定）／パルス化したパワーの用途

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
ステータス:新しいデバイスが提供されました（NDO）
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC2207を提案しています。NDO（新しいデバイスが提供されました）注：これは以前の世代のデバイスであり、完全にサポートされています。ただし、推奨するデバイスは、ほとんどのアプリケーションでより優れた価格と性能を提供します。
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