EPC2012C：エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 200 V
RDS(on), 100 mΩ
ID, 5 A
パルス ID, 22 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2012C Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：1.7 mm × 0.9 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • 絶縁型DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • D級オーディオ
  • ワイヤレス・パワー伝送

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
ステータス:アクティブ
購入

代理店を探す
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか？
GaNエキスパートに聞く

データシート

評価基板

品質と信頼性

設計資料

アプリケーション・ノート

デバイス・モデル

設計ツール

製品変更告知PCN（Product Change Notice）