EPC2030：エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 40 V
RDS(on), 2.4 mΩ
ID, 48 A
パルス ID, 490 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2030 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：4.6 mm x 2.6 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • POL（負荷点）コンバータ
  • 同期整流

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
ステータス:新しいデバイスが提供されました（NDO）
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC2067を提案しています。NDO（新しいデバイスが提供されました）注：これは以前の世代のデバイスであり、完全にサポートされています。ただし、推奨するデバイスは、ほとんどのアプリケーションでより優れた価格と性能を提供します。
購入

代理店を探す
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか？
GaNエキスパートに聞く

データシート

評価基板

品質と信頼性

設計資料

アプリケーション・ノート

製品変更告知PCN（製品変更告知PCN（Product Change Notice））

デバイス・モデル