EPC2054：200 V、32 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 200 V
RDS(on), 43 mΩ
ID, 3 A
パルス ID, 32 A

EPC2054 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：1.3 mm x 1.3 mm

アプリケーション

  • 高速DC-DC変換
  • Lidar（光による検出と距離の測定）／パルス化したパワーの用途
  • D級オーディオ

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
ステータス:アクティブ
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