EPC2059：170 V、102 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

データシート

• EPC2059 のデータシート

評価基板

これらの低コストの評価オプションを使って、
今日から設計を初めてください：

品質と信頼性

• 品質評価レポート
• 信頼性レポート
• RoHSステートメント
• REACHステートメント
• 製品材料の含有物質報告
  （Material Composition Declaration）
• 偽造声明
• 紛争鉱物（Conflict Mineral）ステートメント

アプリケーション・ノート

• eGaN FETのアセンブリ
• クイック・リファレンス：チップ装着の手順
• クイック・リファレンス：チップはく離の手順
• eGaN FETの利用
• eGaN FETベースのパワー段を最適なレイアウトで設計する

デバイス・モデル

• PSPICE (.net)
• TSPICE (.sp)
• LTSPICE (.zip)
• Spectreモデル (.scs)
• 熱モデル
• PLECS
• STEP

設計ツール

• バック（降圧型）・コンバータ向けのGaN FETセレクション・ツール
• クロスレファレンス検索
• GaN First Time Right™ 設計プロセス
• GaN FETサーマル・カリキュレータ
• GaNの話のサポート・フォーラム
• Altiumライブラリ (.zip)
• KiCadライブラリ（.zip）
• KiCadライブラリのインストール手順

製品変更告知PCN（製品変更告知PCN（Product Change Notice））

• PCN231101：代替製造拠点 - テスト中