EPC2066：40 V、639 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 40 V
RDS(on), 1.1 mΩ
ID, 90 A
パルス ID, 639 A

EPC2066 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：6.05 mm x 2.3 mm

アプリケーション

  • 高密度DC-DC変換
  • BLDCモーター駆動
  • 産業オートメーション
  • POL（負荷点）コンバータ
  • 同期整流
  • 突入保護

特徴

  • 超高効率
  • 高いスイッチング周波数
  • RDS(on)、QG、QGD、QOSSが非常に小さく、逆回復（QRR）がゼロ
  • 実装面積が小さい
ステータス:推奨
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EPC90149 40 V、40 Aのハーフブリッジ評価 ¥28,105
EPC9174 1.2 Kw LLC 1/8th Brick, 48 V - 12 V ¥107,054

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