EPC2067:40 V、409 Aのエンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 40 V
RDS(on), 1.55 mΩ
ID, 69 A
パルス ID, 409 A

EPC2067 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ:2.85 mm x 3.25 mm

アプリケーション

  • 高周波DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流

特徴

  • スイッチング周波数の高速化: スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化: 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化: 電力密度の向上
ステータス:推奨
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