EPC2103：エンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタのハーフブリッジ

データシート

• EPC2103 のデータシート

評価基板

これらの低コストの評価オプションを使って、
今日から設計を初めてください：

品質と信頼性

• 品質評価レポート
• 信頼性レポート
• RoHSステートメント
• REACHステートメント
• 偽造声明
• 紛争鉱物（Conflict Mineral）ステートメント
• 製品材料の含有物質報告
  （Material Composition Declaration）

アプリケーション・ノート

• eGaN FETのアセンブリ
• クイック・リファレンス：チップ装着の手順
• クイック・リファレンス：チップはく離の手順

デバイス・モデル

• PSPICE (.net)
• TSPICE (.sp)
• LTSPICE (.zip)
• Spectreモデル (.scs)
• 熱モデル
• STEP

設計ツール

• バック（降圧型）・コンバータ向けのGaN FETセレクション・ツール
• クロスレファレンス検索
• GaN First Time Right™ 設計プロセス
• GaN FETサーマル・カリキュレータ
• GaNの話のサポート・フォーラム
• Altiumライブラリ (.zip)
• KiCadライブラリ（.zip）
• KiCadライブラリのインストール手順

製品変更告知PCN（製品変更告知PCN（Product Change Notice））

• PCN200801：代替製造拠点：台湾Ardentecでテープ・アンド・リールの後工程アセンブリ
• PCN181201：製造現場の代替：バック・エンドのテープ・アンド・リールのアセンブリ