EPC2107：同期ブートストラップを集積したエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタのハーフブリッジ

VDS, 100 V
RDS(on), 390 mΩ (Q1 & Q2),
3.3 Ω (Q3)
ID, 1.7 A (Q1 & Q2),
0.5 A (Q3)
パルス ID, 3.8 A (Q1 & Q2),
0.5 A (Q3)
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2107 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：1.35 mm x 1.35 mm

アプリケーション

  • 高周波DC-DC変換
  • D級オーディオ
  • ワイヤレス・パワー（高共鳴と電磁誘導）

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減、寄生インダクタンスの低減、駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
ステータス:アクティブ
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