EPC2111： エンハンスメント・モードGaNパワー・
トランジスタのハーフブリッジ

VDS, 30 V
RDS(on),
19 mΩ (Q1, 制御用 FET),
8 mΩ (Q2, 同期整流用 FET)
ID, 16 A (Q1), 16 A (Q2)
パルス ID,50 A (Q1), 140 A (Q2)
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2111 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：3.5 mm × 1.5 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • POL（負荷点）コンバータ

特徴

  • 高いスイッチング周波数： 低いスイッチング損失、低い寄生インダクタンス、低い駆動電力
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失が小さい、逆回復損失がゼロ
  • 実装面積が小さい： 電力密度が高い
ステータス:アクティブ
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