EPC2219：65 V、0.5 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 65 V
RDS(on), 3300 mΩ
ID, 0.5 A
パルス ID, 0.5 A
AEC-Q101準拠

EPC2219 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：0.9 mm x 0.9 mm

アプリケーション

  • Lidar／パルス化した電力
  • 高速ゲート駆動
  • ワイヤレス・パワー伝送
  • 同期ブートストラップ
  • D級オーディオ

特徴

  • 超高効率
  • 超低QG
  • 超小型
ステータス:推奨
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