EPC2373：15 V、0.47 mΩのGaNパワー・トランジスタ

VDS, 15 V
標準値RDS(on), 0.47 mΩ
ID, 88 A
パルス ID, 447 A

EPC2373 Enhancement Mode GaN Power Transistor
パッケージ・サイズ:3.3 mm x 2.6 mm

アプリケーション

  • 高速DC-DCコンバータ
  • 同期整流
  • サーバー
  • 人工知能
  • モーター駆動

特徴

  • 超低QG
  • 超低オン抵抗（RDS(on)）
  • 論理レベル
  • 軽量
  • 裏面サーマル・パッド付きPQFNパッケージ
ステータス:エンジニアリング
購入時にサフィックスENG *で指定されたエンジニアリング・デバイスは、エンジニアリング・ステータスなので、各地域のフィールド・アプリケーション・エンジニアに最新のステータスを問い合わせずに、信頼性ストレス試験やその他の品質試験に使わないでください。
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