EPC8009：エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ
高速に、 もっと速く

VDS, 65 V
RDS(on), 130 mΩ
ID, 4 A
パルス ID, 7.5 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC8009 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：2.05 mm x 0.85 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • RF包絡線追跡（Envelope Tracking）
  • ワイヤレス・パワー伝送
  • ゲーム機や工業用動き検出（LiDAR

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
ステータス:アクティブ
購入

代理店を探す
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか？
GaNエキスパートに聞く

データシート

評価基板

品質と信頼性

設計資料

アプリケーション・ノート

設計例

デバイス・モデル

設計ツール

製品変更告知PCN（Product Change Notice）

製品概要