動的測定の場合、GaNトランジスタによるスイッチング速度の向上には、優れた測定技術と、高速波形の重要な詳細を捕捉するための優れた手法が必要です。アプリケーション・ノートAN023高速GaNトランジスタの正確な測定では、ユーザーの要件に合わせて測定機器を活用する方法と、高性能GaNトランジスタを正確に評価するための測定手法に焦点を当てています。特に、米テクトロニクスのIsoVu、米テレダイン・レクロイのDL-ISO、独PMKのFireflyプローブのようなこの種の測定に特化した差動プローブを推奨します。
EPC9080の測定点
スイッチング損失の測定は一般的です。ただし、GaNデバイスは、小型、高速なので、プローブの追加は測定に大きく影響します。信頼性が高く忠実度の高い波形を捕捉するためには、適切なプロービング手法と、低入力容量および短いグラウンド・ ループ接続を備えたプローブを使うことも重要です。
測定手法と測定点選択の影響
低電圧GaN FETの再現可能で信頼性の高い動的特性評価の詳細については、記事Accurate Characterization of Low-Voltage, Small-Form–Factor GaN FETsを参照してください。