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GaN FETを使った高効率の太陽光発電用オプティマイザの設計

GaN FETを使った高効率の太陽光発電用オプティマイザの設計

小型で信頼性が高く、費用対効果に優れた GaN技術で太陽光発電システムの性能を向上

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)・パワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は12月10日、太陽光発電(PV)用オプティマイザの最新のリファレンス・デザイン「EPC9178」を製品化したと発表しました。太陽光エネルギー・システムの受動部品点数の削減によって、エネルギー効率と費用対効果の厳しい課題に対処すると同時に、高い信頼性を実現するように設計したEPC9178は、再生可能エネルギーのソリューションに対するGaN技術の変革の可能性を実証しています。

リファレンス・デザインのEPC9178は、背中合わせのバック(降圧型)/ブースト(昇圧型)・コンバータ構成を採用しており、日陰などの厳しい条件下でも各ソーラー・パネルに対して最適なエネルギー収集を保証します。この小型で高性能なソリューションは、マイクロインバータとストリング・インバータの間のギャップを埋め、エネルギー効率を向上し、既存のインフラとの互換性を実現します。

EPC9178の主な特徴

EPC9178は、最先端の GaN技術と高度な専用コントローラを組み合わせて、比類のない性能と信頼性を実現します。

  • 小型な設計 450 kHzの高周波動作によって、受動部品のサイズを最小化でき、軽量で省スペースのソリューションを実現できます。
  • 高効率 最大ピーク効率98%を実現し、電力損失を削減し、熱管理を改善します。
  • 高度なGaN技術: 定格100 Vの EPC2306(eGaN® FET)を搭載したEPC9178は、シリコンMOSFETに比べて、オン抵抗が低く(3.8 mΩ)、スイッチング損失も低減されています。
  • 単純化された制御 米テキサス・インスツルメンツの集積化した コントローラLM5177によって、設計の複雑さが軽減され、部品点数が削減されます。
  • 汎用の出力設定 入力電圧範囲30 V~60 Vで動作し、30 V、45 V、60 V の出力電圧を選べます。

「EPC9178は、費用対効果の高い太陽光エネルギー・システムを実現できる小型、高性能、かつ信頼性の高い設計を実現します」とCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語っています。

EPC9178 の詳細については、https://epc-co.com/epc/products/evaluation-boards/epc9178 をご覧ください。

米国での参考価格と入手方法

評価基板EPC9178 の単価は480.00米ドルです。
EPC2306の単価は、3000個リールで購入時に1.87ドルです。

評価基板とデバイスは、米Digi-Key社のウエブサイト(www.digikey.jp/en/supplier-centers/epc)から注文でき、即座に配送されます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)に基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータリモート・センシング技術(Lidar)、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星 などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。ウエブサイトはwww.epc-co.com/epc/jpです。

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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先 電話:+1.908.619.9678、電子メール: [email protected]