EPC2306: 100 V、63 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS、1100 V
最大値RDS(on)、13.8 mΩ
ID、63 A
パルス ID、197 A

EPC2306 Enhancement Mode GaN Power Transistor
パッケージ・サイズ:3 mm x 5 mm

アプリケーション

  • AC-DC充電器、スイッチング電源、アダプタ、電源
  • 高周波DC-DC変換入力（降圧、昇圧、昇降圧、LLC）
  • モーター駆動
  • 高電力密度DC-DCモジュール
  • 同期整流
  • ソーラーMPPT（最大電力点追跡）

利点

  • 高効率化：導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 超小型の実装面積：電力密度の向上
ステータス:推奨
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