EPCは、1.2 mΩの超低オン抵抗 RDS(on)、優れた効率、熱特性を備え、AI（人工知能）、ロボット、自動車用電源の進化に貢献する定格100 VのGaN FETであるEPC2367を発売しました。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のパワー・トランジスタとICのリーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、
本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月18日、電力変換用途向けに、優れた性能、高い効率、低いシステム・コストを実現する次世代の定格100 VのeGaN® FET
「EPC2367」を発売したと発表しました。
48 Vの中間電圧バス・アーキテクチャ向けに設計されたEPC2367は、電力損失の低減、効率の向上、より小型で費用対効果の高い設計を可能にすることで、パワー・システムの性能を大幅に向上できます。
この新しいデバイスは、前世代のGaNや従来のシリコンMOSFETのソリューションと比べて、性能のベンチマークを確立します。
EPC2367の主な利点
- 超低オン抵抗 (RDS(on)): 1.2 mΩ、前世代の最高クラスのデバイスに比べて約30%の改善
- より小さな実装面積: 3.3 mm×3.3 mmのQFNパッケージによって、プリント回路基板のスペースが削減され、熱特性が向上
- 最高クラスのスイッチング性能指数（FoM：Figures of Merit): EPC2367は、ハードスイッチングとソフトスイッチングの用途で競合製品よりも優れており、優れた効率と低い電力損失を実現
- 強化された熱特性: 負荷がある状態でも低温で動作し、システムの信頼性が向上し、より高い電力密度を実現
- 温度サイクルの卓越した信頼性: 以前のGaN世代と比べて、4倍の温度サイクル能力を備え、長期動作の耐久性を確保
優れた回路内特性
EPC2367は、ハードスイッチングおよびソフトスイッチングの用途で厳密にテストされています。性能テストの結果、全電力範囲にわたって効率が向上し、電力損失が大幅に低減していることが実証されています。1 MHz、
1.25 kWのシステムでは、EPC2367は電力損失を低減すると同時に、従来のGaNやSi MOSFETの代替品と比べて、1.25倍の出力電力が得られます。
「EPC2367は、超低オン抵抗と優れた温度サイクル特性を備えたGaN技術を進化させ、技術者がAI（人口知能）サーバー、ロボット、自動車システムの効率と電力密度を高めることを可能にします」とCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は語っています。
開発基板のEPC90164は、GaN FET のEPC2367を搭載したハーフブリッジです。最大動作電圧80 V、最大出力電流35 Aで設計されています。この基板の目的は、パワー・システム設計者の評価プロセスを単純化し、製品の市場投入までの時間を短縮することです。この 2インチ×2インチ（50.8 mm×50.8 mm）の基板は、最適なスイッチング特性を実現するように設計されており、評価を容易にするための重要な部品がすべて含まれています。
米国での価格と入手方法
EPC2367の単価は、3000個購入時に2.81米ドルです。
開発基板EPC90164の単価は、200.00ドルです。
製品は、当社の販売代理店を通じて入手可能です。または、当社のウエブサイトから直接注文することもできます。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、
DC-DCコンバータ、
リモート・センシング技術（Lidar）、
イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、
低価格衛星 などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
ウエブサイトはwww.epc-co.com/epc/jpです。
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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。
報道関係の問い合わせ先
Efficient Power Conversion:
Renee Yawger
電話: +1.908.619.9678
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