EPCは、耐圧 50 V、オン抵抗8.5 mΩのGaN FETであるEPC2057を製品化し、1.5 mm×1.2 mmと小さな実装面積で、USB-C PD規格の充電用途向けに、より高い電力密度を実現します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月11日、耐圧50 V、オン抵抗8.5 mΩの「EPC2057」を発売しました。このGaN FETは、民生用電子機器、車載充電器、イーモビリティなどで使われる高出力USB-C機器の進化するニーズを満たすように特別に設計されています。

主な機能と利点：

• 高効率：この新しい 50 VのGaN FET は、わずか8.5 mΩという超低オン抵抗を実現し、電力損失を大幅に削減し、全体的な効率を高めます。
• 小型な設計：実装面積が非常に小さいため、スペースが限られたアプリケーションに最適で、より小型、高効率な電源アダプタや充電器を実現できます。
• 高速スイッチング：GaN技術によって、スイッチング速度が高速化され、電力密度が向上し、受動部品のサイズが小型化できるため、より小型・軽量な設計が可能になります。

「USB-C PD規格の普及が拡大し続けるにつれて、高効率で小型、高性能なパワー・ソリューションが不可欠になります。当社の新しいGaN FETは、信頼性が高く高効率なソリューションでこれらのニーズを満たし、性能を向上させます」とCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は語っています。

業界への影響

USB-C PD規格の採用が拡大するにつれて、サイズと発熱を最小限に抑えながら、より高い効率と性能を実現できるパワー部品の需要が高まっています。EPCの新しいGaN FETは、この需要を満たすように設計されており、従来のシリコン・ベースのFETに代わる優れた選択肢を提供します。

開発基板

開発基板のEPC90155は、GaN FETのEPC2057を搭載したハーフブリッジです。最大動作電圧 40 V、最大出力電流10 Aで設計されています。この基板の目的は、パワー・システム設計者の評価プロセスを単純化し、製品の市場投入までの時間を短縮することです。この 2インチ× 2インチ（50.8 mm×50.8 mm）の基板は、最適なスイッチング特性を実現するように設計されており、評価を容易にするためのすべての重要な部品を搭載しています。

米国での参考価格と入手方法

EPC2057の単価は、2500個購入時に0.67米ドルです。

開発基板のEPC90155の単価は200.00ドルです。

製品は、当社の販売代理店を通じて入手するか、当社のウエブサイトから直接注文できます。

シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCのGaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、https:/epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索、にあります。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星 などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。

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報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger 電話：1.908.475.5702、電子メール：[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

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