今回の新世代のeGaN^® FETは、小型なBLDCモーター駆動回路と費用対効果の高い高解像度の飛行時間ToF（Time of Flight）に対するイーモビリティ、配送、物流ロボット、ドローンの各市場の新しいニーズに対応します。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月15日、「EPC2065」と「EPC2054」の製品化によって、市販品の窒化ガリウム・トランジスタのコストを削減すると同時に性能を向上させたと発表しました。

Efficient Power Conversion (EPC) は、要求が厳しい宇宙船や、その他の高信頼性環境での電力変換ソリューション向けに、放射線耐性（耐放射線性）を強化した窒化ガリウム（GaN）製品の新しいファミリーを製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月8日、放射線耐性を強化した窒化ガリウムのトランジスタと集積回路の新しいファミリーの製品化を発表しました。GaN ベースのパワー・デバイスは、より高いブレークダウン強度、より高速なスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、シリコン・ベースのデバイスを大幅に凌駕します。抵抗とゲート電荷が小さいため、電源のスイッチング周波数を高くできるので、厳しい宇宙船ミッション向けのより高い電力密度、より高い効率、より小型軽量な回路を実現できます。窒化ガリウムは、本質的に放射線耐性があるので、GaN ベースのデバイスは、宇宙用途向けの信頼性が高く高性能なパワー・トランジスタの選択肢になります。

GaNトランジスタとIC は、モーター駆動用途の電力密度を高められます。最適なレイアウト手法によって、レッグ・シャントや同相シャントのいずれかから、リンギングのない出力スイッチング波形ときれいな電流再構成信号が得られます。

独Bodo’s Power Systems
2021年6月
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EPC9149は、1/8ブリック・サイズで1/4ブリックの電力を供給し、1 MHzでスイッチングするeGaN^® FETを使って、優れた電力密度を実現し、1 kWの電力を供給します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月25日、変換比4対1の直流変圧器として動作する1 kW対応の48 V入力、12 V出力のLLCコンバータ「EPC9149」を発売しました。このデモ・ボードは、GaN FET である100 VのEPC2218と40 VのEPC2024を搭載しています。

EPC9137は、48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータで、マイルドハイブリッド車やバッテリー電源バックアップ・ユニット向けの小型なソリューション・サイズで、1.5 kWを供給でき、効率97％が得られます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月11日、非常に小さな実装面積で、効率97％で動作する1.5 kWで48 Vと12 Vの間の2相双方向コンバータ「EPC9137」を製品化しました。このデモ・ボードの設計は、スケーラブルです。つまり、2つのコンバータを並列接続して3 kWにしたり、3つのコンバータを並列にして4.5 kWにしたりすることができます。この基板は、100 VのeGaN^® FETであるEPC2206を4個搭載しており、米マイクロチップ・テクノロジーの16ビット・デジタル・コントローラdsPIC33CK256MP503を搭載したモジュールによって制御されます。

GaNパワー半導体のメーカーは、パワー・エレクトロニクス機器の展示会PCIM Europeで、100 V～650 Vのデバイスの最新製品を展示しました。PCIM Europeでは、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）などのワイド・バンドギャップ（WGG）半導体の利点と使用例についていくつかのプレゼンテーションを実施しました。EPC、米GaN Systems、独インフィニオン テクノロジーズ、オランダのNexperia、スイスのSTマイクロエレクトロニクスなどのメーカーは、今週、GaNパワー半導体のいくつかの新しいファミリーを発表しました。

米オンライン・ニュースElectronic Products
2021年5月
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ePower™ StageのEPC2152は、デモ・ボードEPC9146で実証されているように、高性能で低コストのBLDCモーターを利用した高性能で小型のソリューションを可能にします。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月4日、400 Wのモーター駆動用デモ・ボード「EPC9146」を製品化しました。この電源基板EPC9146は、3つの独立に制御できるハーフブリッジ回路を備え、ゲート・ドライバが集積されたモノリシックePower™ StageのEPC2152を搭載し、最大デバイス電圧は80 V、最大出力電流は15 A（10 A_RMS）です。インバータ基板の面積は、わずか81 mm✕75 mmで、出力電力400 Wで効率98.4％以上が得られます。

最近、Efficient Power Conversion（EPC）は、eGaN^® FETをデータシートの制限を超える一連のテストを実施し、さまざまな過大ストレス電圧と過大ストレス電流の影響を定量化しました。この結果はここで初めて公開されます。

独Bodo’s Power Systemss
2021年5月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、欧州のパワー・エレクトロニクスの展示会PCIM Europe 2021 Digital Daysで、同社の最新のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのFETとICを紹介し、GaN技術の優れた性能が自動車、コンピューティング、ロボットの電力供給をどのように変革しているかを示します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月13日、5月3日～7日に開催される欧州のパワー・エレクトロニクスの展示会PCIM Europe 2021 Digital Daysで、当社のチームが、2件の技術プレゼンテーション、教育チュートリアル、出展者ウエビナを計画し、窒化ガリウム（GaN）の技術とアプリケーションに関するパネル・ディスカッションに参加すると発表しました。この展示会のバーチャル展示会にも参加し、eGaN^®技術を素早く採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを展示します。

この記事では、BOM（部品表）の部品点数が少なく、設計者がシリコンFETを使うときと同じ簡単な方法で同期整流型バック（降圧型）・コンバータを設計できるようにし、48 Vのパワー・システムで優れた性能を実現できるGaN FET互換のアナログ・コントローラを紹介します。

米Power Electronics News誌
2021年4月
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GaNトランジスタとICは、入力フィルタの電解コンデンサを排除できるので、モーター駆動用途の電力密度を高めることができます。GaNの優れたスイッチング動作は、デッドタイムを取り除き、不整合な正弦波の電圧波形と電流波形が供給されても、よりスムーズで静かな動作を実現することに役立ちます。

独Bodo’s Power Systems
2021年4月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、ePower™StageICのEPC2152が2020年のElektra Award for Semiconductor Product of the Year（Analogue）を受賞したと発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月30日、当社のePower™ StageのEPC2152 集積回路（IC）が、Semiconductor Product of the Yearのアナログ部門でElektra Award 2020を受賞したと発表しました。この受賞は、3月25日に、英Electronics Weekly誌が主催するバーチャル授賞式で発表されました。これらの権威ある年次賞は、優れた性能、革新性、および世界の電子産業への貢献に対して、企業や個人を表彰するために19年以上にわたって実施されています。審査は、業界の専門家からなる独立した偏りのない、多様で知識豊富なパネルによって行われます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、ロボット、ドローン、3次元センシング、ゲーム、自動運転車などの飛行時間（ToF）型Lidar（光による検出と距離の測定）アプリケーション向けに、より高性能でより小さなソリューション・サイズを実現できる新しい窒化ガリウム（GaN）集積回路（IC）の製品ファミリーを拡張したと発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月23日、ロボット、ドローン、拡張現実、ゲームのアプリケーションで使われる飛行時間（ToF：time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに、ゲート・ドライバと、低電圧差動信号（LVDS）論理レベル入力を備えた40 V、10 AのFETを集積したワン・チップのレーザー・ドライバを製品化しました。

GaN技術は急速に発展しており、新世代のより高効率、より小型、より低コストの集積回路のプラットフォームとなる新世代のディスクリート・デバイスが頻繁に製品化されています。GaN集積回路は、製品をより小さく、より速く、より高効率にし、設計を容易にします。

米Power Systems Design誌
2021年3月（36ページ）
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窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスは、10年以上生産されており、性能とコストの改善だけでなく、GaN技術が電力変換市場に影響を与える最も重要なことは、同じ基板上に複数のデバイスを集積できる固有の属性にあります。これによって、モノリシック電源システムを単一チップ上において、より簡単、より高効率、かつ、より費用対効果の高い方法で設計できるようになります。

米Power Electronics News誌
2021年1月
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EPC9150に搭載した超高速遷移eGaN^® FETであるEPC2034Cは、最大220 Aの大電流パルスと3n s以下のパルス幅を可能にするので、Lidar（光による検出と距離の測定）システムは、より遠くを、より速く、より良く見えるようになります。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月16日、200 Vで大電流のパルス・レーザー・ダイオードのドライバ向けデモ・ボード「EPC9150」を製品化したと発表しました。自動運転車用途の3次元マップを作成するために使われるLidar（光による検出と距離の測定）システムでは、対象物検出の速度と精度が重要です。この基板で実証されているように、eGaN FET であるEPC2034Cの高速遷移能力は、同等のMOSFETよりも最大10倍高速に、レーザー・ダイオード、VCSEL（垂直共振器面発光レーザー）、LED（発光ダイオード）を駆動するパワー・パルスを提供し、面積、エネルギー、コストを削減できます。したがって、Lidarシステムの価格だけでなく、精度、解像度、処理速度など、全体的な性能が向上します。

レーザー・ドライバIC製品の新しいファミリーによって、幅広いエンド・ユーザー・アプリケーションで、ToFソリューションの採用が加速され、普及が促進されます。

米オンライン・ニュースHow2Power
2021年3月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、高解像度Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに最適化された逆ゲート・クランプ・ダイオードを搭載した耐圧65 Vの窒化ガリウム・トランジスタEPC2219を製品化し、車載品質規格AEC Q101認定の製品ファミリーを拡張します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月2日、自動車産業やその他の過酷な環境におけるLidar（光による検出と距離の測定）システム向けに設計され、車載品質規格AEC Q101認定を取得した耐圧65 Vの「EPC2219」を製品化したと発表しました。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）FETは、フィールドでの実際の動作、またはAECやJEDECの規格に従ってテストしたとき、優れた熱機械的信頼性を示しています。これは、「パッケージ」の本質的な単純さ、すなわち、ワイヤー・ボンド、異種材料、成形材料を使っていないからです。最近、寿命予測を実験的に求めるために、アンダーフィル製品の広範な調査が実施されました。このセクションの最後にある有限要素解析では、実験結果を説明し、主要な材料特性に基づいてアンダーフィルを選択するためのガイドラインを提示します。

独Bodo’s Power Systems
2021年3月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、ロボット、ドローン、3次元センシング、自動運転車など、飛行時間（ToF）型Lidar用途向けに、より高性能で、より小型なソリューションを提供する新しい窒化ガリウム（GaN）集積回路（IC）製品ファミリーの最初の製品を発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月23日、ロボット、監視システム、ドローン、自動運転車、掃除機で使われる飛行時間ToF（time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに、ゲート・ドライバと、3.3 Vの論理レベル入力を備えた40 V、10 AのFETをワン・チップに集積化したレーザー・ドライバを製品化したと発表しました 。