EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.3 mΩのeGaN® FETであるEPC2067を発売し、高性能でスペースに制約のあるアプリケーション向けに、MOSFETよりも小型、高効率で、信頼性の高いデバイスを提供します。
エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月27日、eGaN FETの「EPC2067」（標準1.3 mΩ、40 V）を発売し、低電圧の既製の窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大したと発表しました。
EPC2067は、48 V〜54 V入力のサーバーなど、高電力密度化に対する厳しい要件があるアプリケーションに最適です。より小さいゲート電荷と逆回復損失ゼロによって、最先端の電力密度が得られ、面積がわずか9.3 mm2、高効率で1 MHz以上の高周波動作が可能です。
「EPC2067は、LLC DC-DCコンバータの2次側向けに、40 V～ 60 V入力、12 V出力の理想的なスイッチになります。この40 Vのデバイスは、前世代の40 VのGaN FETと比べて性能とコストが改善されているので、経済的に、 効率と電力密度を向上できます」と共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。
開発基板
開発基板のEPC90138は、最大デバイス電圧40 V、最大出力電流40 Aで、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジで、eGaN FETのEPC2067を搭載しています。この2インチ✕ 2インチ（50.8 mm✕ 50.8 mm）の基板は、最適なスイッチング特性を実現するために設計されており、EPC2067を簡単に評価するためのすべての重要な部品が搭載されています。
EPC2067とEPC90138はいずれも、米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）から入手できます。
米国での参考価格と入手方法
eGaN FET のEPC2067の単価は、1000個／リール購入時に2.69米ドルです。
開発基板のEPC90138の単価は123.75ドルです。
EPC2067とEPC90139はいずれも、Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）で購入でき、即座に配送されます。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、自動車、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
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報道関係の問い合わせ先
Renee Yawger 電話：1.908.475.5702、電子メール：[email protected]
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。