GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ

GaNの話

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Term: 同期
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11 07, 2024

高電力密度、薄型の同期整流用の降圧および昇圧コンバータの設計

Parinda Chantarasereekul, Application Engineer

評価基板EPC91106は、形状が小さく、高電力密度を実現するように設計された高度な同期整流用バック(降圧)およびブースト(昇圧)・コンバータです。定格100 Vでオン抵抗RDS(on)が11 mΩのEPC23104(eGaN® IC)を搭載したこの評価基板は、広範なアプリケーションに対応する高性能で省スペースのソリューションを提供します。このブログでは、EPC91106の設計、主な機能、性能メトリック、実験的検証について説明し、その潜在的なアプリケーションとパワー・マネージメント(電源管理)・ソリューションへの適合性についての洞察を提供します。

10 25, 2021

eGaN FETを使って温度上昇が小さい12 V入力、60 V出力のブースト・コンバータを設計する方法

Jianglin Zhu, Senior Applications Engineer

ノート・パソコンやパソコンのモニターなどの最新のディスプレイには通常、低電力ブースト(昇圧型)・コンバータが必要です。このアプリケーションでは、画面の明るさの強度が低から中程度であり、このコンバータは、ほとんどの場合、軽負荷で動作するため、軽負荷の効率が非常に重要です。eGaN FETの低いスイッチング損失は、この課題に対処することに貢献します。このGaNの話のブログは、シンプルで低コストの同期ブースト構成で、eGaN FETを使って温度上昇が小さい12 V入力、60 V、50 W出力の DC-DCパワー・モジュールの設計について検討します。

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