GaNの話

このブログでは、技術者が自身のプロジェクトに最適なGaNゲート・ドライバを選択するときに考慮すべき重要な要素について説明します。

米Sensitron Semiconductorの新規ビジネス開発部門ディレクタRichard Locarniと、EPCのフィールド・アプリケーション・エンジニアBrian Millerによる投稿。

多くの電力システムで使われる基本的なビルディング・ブロックは、直列の2個のパワーFETとそれぞれのゲート・ドライバで構成されるハーフブリッジです。ディスクリートFETとゲート・ドライバを使って基板上でこの機能を実現できますが、多くの場合、ハーフブリッジ・モジュールを使う方が有利です。ハーフブリッジ・モジュールを使うと、事前に認定された単一部品の使用、リードタイムの短縮、高性能化など、多くの利点があります。米Sensitron Semiconductor（sensitron.com）は 、50年以上にわたるパワー・モジュールのサプライヤであり、最新の製品はEPCのeGaN FETを使っているため、さらに魅力的です。SensitronはEfficient Power Conversionと協力して、最近製品化したGaN FETのEPC2050を使って350 Vのハーフブリッジ・モジュールを開発しました。商用、産業用、および航空宇宙のアプリケーション向けに設計されたハーフブリッジのインテリジェント・パワー・モジュールSPG025N035P1Bは、定格20 Aで、5 kW以上の制御に使えます。図1は、SiやSiCからGaNへのアップグレードによって達成されたパッケージ・サイズの大幅な小型化です。