GaNの話

効率、サイズ、信頼性が最重要視され、絶えず進化を続けるパワー・エレクトロニクスの世界において、EPCは、最新のイノベーションであるEPC2366で新たなベンチマークを確立しました。この耐圧40 VのGaN FETは、面積3.3 mm×2.6 mmの超小型QFNパッケージに収められており、最先端のパワー半導体技術の好例となっています。

評価基板EPC91106は、形状が小さく、高電力密度を実現するように設計された高度な同期整流用バック（降圧）およびブースト（昇圧）・コンバータです。定格100 Vでオン抵抗RDS(on)が11 mΩのEPC23104（eGaN® IC）を搭載したこの評価基板は、広範なアプリケーションに対応する高性能で省スペースのソリューションを提供します。このブログでは、EPC91106の設計、主な機能、性能メトリック、実験的検証について説明し、その潜在的なアプリケーションとパワー・マネージメント（電源管理）・ソリューションへの適合性についての洞察を提供します。