動機

eGaN^® FETは、Si MOSFETよりもはるかに高速にスイッチングできるので、寄生インダクタンスを最小限に抑えるために、プリント回路基板のレイアウト設計に細心の注意を払わなければなりません。寄生インダクタンスによって、オーバーシュート電圧が大きくなり、スイッチングの遷移が遅くなります。このアプリケーション・ノートでは、これらの不要な影響を避け、コンバータの特性を最大限に引き出すために、eGaN FETを使って最適なパワー段のレイアウトを設計するための鍵となるステップについて検討します。

スイッチング動作への寄生インダクタンスの影響

図1に示すように、3つの寄生インダクタンス、すなわち、1）パワー・ループのインダクタンス（Lloop）、2）ゲート・ループのインダクタンス（Lg）、3）共通ソースのインダクタンス（Ls）によって、スイッチング特性が制限されます。eGaN FETのチップスケール・パッケージは、トランジスタ内部のインダクタンスをかなり排除しているので、主な制限要因としてプリント回路基板が残ります。各寄生インダクタンスは、動的電流経路とその戻りループによって囲まれる領域全体にあります（WP009：特性への寄生容量の影響を参照）。

Class-D audio amplifiers have traditionally been looked down upon by audiophiles, and in most cases, understandably so. Switching transistors for Class-D amplifiers have never had the right combination of performance parameters to produce an amplifier with sufficient open-loop linearity to satisfy the most critical listeners. This restricted the classical analog modulator Class-D systems to lower-power, lower-quality sound systems.

To accomplish the required headline marketing THD+N performance targets, Class-D amplifiers have had to resort to using large amounts of feedback to compensate for their poor open-loop performance. By definition, large amounts of feedback introduce transient intermodulation distortion (TIM), which introduces a ‘harshness’ that hides the warm subtleties and color of the music that were intended for the listening experience.