GaNの話

AIファクトリーを強化へ：EPCのGaNソリューションがNVIDIA MGXアーキテクチャをいかに強化するか

このビデオでは、40 VのeGaN FETであるEPC2366向けに設計したハーフブリッジ評価基板EPC90167について解説します。面積2.5インチ×2インチ（１インチは2.54㎝）と小型なこの基板には、ゲート・ドライバ、デッドタイム生成回路、極性制御回路、主要な受動部品がすべて統合されており、高効率で高速な電力変換を迅速に評価することが可能です。主な機能、動作モード、テスト・ポイントについて説明し、最新のモーター駆動回路、DC-DCコンバータ、AI電源用途向けに、バック（降圧型）・コンバータやブースト（昇圧型）・コンバータとしていかに容易に構成できるかを紹介します。

The full article was originally published in EPDT

The history of power electronics has been a predictable cadence of material limits, architectural shifts, and a new semiconductor platform resetting expectations. Today that transition is happening again, this time with gallium nitride (GaN).

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このビデオでは、人型ロボットの関節や、その他のスペースに制約のあるアクチュエータ向けに最適化したGaNベースの小型3相BLDCモーター駆動用インバータであるEPC91122の概要を紹介します。同じパッケージに複数のデバイスを組み込んだGaNモジュールEPC33110を中心に構築したこのインバータは、パワー段、ゲート・ドライバ、検出器、制御機能、通信機能を単一の円形基板の上に統合しています。スイスのSTマイクロエレクトロニクスのSTM32マイクロコントローラ、磁気エンコーダ、高精度の電流・電圧検出器、RS-485/JTAGインタフェースを搭載し、高度なロボット向けに高効率、高速な動的応答、耐久性を提供します。

著者：Maurizio Di Paolo Emilio、米ニュース・サイトData Centre Digestへの寄稿

GaNは、AI（人工知能）、ロボット、自動車向けのパワー・エレクトロニクスで主流になりつつあります。APEC 2026において、EPCのNick Cataldoは、GaNのシステム・レベルでの価値とコストの利点について説明します。

この記事は、GaNがパワー・エレクトロニクスをどのように変革しているかを検証します。GaNは、単にMOSFETの代替品ではなく、システムの制約によって制限されていたアーキテクチャを再考することを可能にする技術です。特に、自動車分野、中でも48 Vアーキテクチャにおいては、GaN技術によって燃費が最大15%向上し、信頼性、互換性、そして全体的なコストのバランスが最適化されます。

高性能AIクラスタと人型ロボットは、共通の重要なエンジニアリング課題を抱えています ―― それは、小型で熱的に制約のある筐体内で、非常に大きな電流を供給しなければならないことです。従来の低電圧では、電力分配は、物理的な限界に達しており、過剰なI²R損失とコネクタの大型化によって、持続不可能な熱ストレスが発生していました。この問題を解決するため、業界のアーキテクチャは、公称48 V（ピーク時58 V）の電力分配を中核にすることへと収束しつつあります。

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