100 V、1 A、550 mΩのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタEPC2037は、デジタル論理ICで直接駆動でき、無線充電のD級アンプやE級アンプの用途において、優れた高周波スイッチング特性を実現できます。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年10月6日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタ（eGaN® FET）・ファミリーの最新の製品として「EPC2037」を発売しました。
EPC2037は、面積が0.9 mm×0.9 mmと小型で、耐圧100 V、最大ドレイン電流1 A、ゲート電圧5 Vのときの最大オン抵抗RDS(on)が550 mΩのデバイスです。このeGaN FET は、非常に高いスイッチング周波数で動作します。オン抵抗とゲート電荷QGが非常に小さいなどの高性能化を実現し、超小型パッケージに封止しています。デジタル論理ICで直接駆動できるように設計してあるので、高価なドライバICを外付けして駆動する必要がありません。
ドライバICが必要で、同等のオン抵抗を備える最先端のシリコン・パワーMOSFETと比べて、EPC2037は非常に小型で、スイッチング特性は何倍も優れています。このeGaN FETの特性の恩恵を受ける回路の用途には、無線充電に加えて、高周波数DC-DC変換、LiDAR（光による検出と距離の測定）／パルスの電源、D級オーディオ・アンプがあります。
開発基板
この最新の高性能eGaN FETの評価プロセスを単純化するための開発基板EPC9051によって、EPC2037の「回路内」での特性評価を簡単に実施できます。
EPC9051は、差動モードの高効率E級アンプの開発基板で、ドライバICを外付けせずに最高15 MHzまで動作することができます。この開発基板の目的は、既存のシステムに簡単に接続できる単一基板上にE級アンプのすべての重要な部品を搭載することで、eGaN® FETを使ったE級アンプ技術の評価プロセスを単純化することです。
この基板は、ローサイド・スイッチを利用する用途にも使うことができる場合があります。限定されるものではありませんが、この例には、プッシュプル・コンバータ、電流モードのD級アンプ、共通ソースの双方向スイッチ、高電圧で狭いパルス幅のLiDARのような一般的な用途があります。
このアンプ基板は、定格100 VのeGaN FETであるEPC2037を搭載しています。このアンプは、差動モードで動作するように設定されていますが、シングルエンド・モードで動作するように再構成することができます。この開発基板の主な特徴は、eGaN FETのためのゲート・ドライバが必要なく、論理ゲートから直接駆動できることです。分離した論理電源レギュレータも、基板上に搭載されています。
米国での参考価格と購入方法
パワー・トランジスタEPC2037の1000個購入時の単価は0.55米ドル、開発基板EPC9051の単価は158.13ドルです。いずれも、Digi-Key社のウエブサイト（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja）で購入でき、即座に配送されます。
eGaN FETの設計情報とサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、