EPC2070は、非常に小さなチップスケール・パッケージに封止し、パルス化した34 Aの電流供給能力がある定格100 V、最大オン抵抗23 mΩのパワー・トランジスタです。この新しいデバイスは、60 W、48 Vのパワー・コンバータ、Lidar（光による検出と距離の測定）、LED（発光ダイオード）照明などのアプリケーションに最適です。
EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月7日、面積が1.1 mm2と超小型で、高効率の電力変換を実現する最大オン抵抗RDS(on)が23 mΩ、パルス出力電流34 Aで定格100 VのGaNトランジスタ「EPC2070」を発売したと発表しました。.
より高い効率と電力密度を要求する用途では、もはや大きさと性能のどちらかを選択する必要がなくなりました。EPC2070は、シリコンMOSFETに匹敵する低価格で、GaN FETの性能が得られます。この高性能、小型、低コストの恩恵を受ける用途には、コンピューティングや通信システム向けの最大60 Wで48 V入力のパワー・コンバータ、カメラ・モジュール向けの垂直共振器型面発光レーザーVSCELを使った飛行時間（ToF：Time of flight）モジュール、ノート・パソコン、スマートフォン、LED（発光ダイオード）照明、D級オーディオなどがあります。
「eGaNベースのパワー・デバイスが高周波において高効率で動作する能力は、シリコンとの性能とコストのギャップを広げます。100 VのEPC2070は、第5世代の製品ファミリーに追加された優れた製品であり、シリコンMOSFETで可能な電力密度よりも高い電力密度を実現できます」とCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は語っています。
開発基板
開発基板のEPC90141は、ゲート駆動回路を備えた最大デバイス電圧100 Vのハーフブリッジであり、eGaN FET のEPC2070を搭載しています。面積2インチ×2インチ（50.8 mm×50.8 mm）のこの基板は、最適なスイッチング特性を実現するように設計されており、EPC2070を簡単に評価するためのすべての重要な部品を搭載しています。
米国での参考価格と入手方法
eGaN FETのEPC2070の単価は、2500個購入時で0.67米ドルです。
開発基板EPC90141の単価は123.75ドルです。
EPC2070およびEPC90141は、米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）から購入できます。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動モーター駆動 、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
報道関係の問い合わせ先
Efficient Power Conversion：
Renee Yawger 電話：1.908.475.5702、電子メール：[email protected]