EPCと米アナログ・デバイセズは、EPCのGaN FETを駆動するために完全に最適化された新しいアナログ・コントローラを使ったリファレンス・デザインを発表し、効率96.5%以上を達成しました。
EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月2日、デュアル出力の同期整流型バック（降圧型）・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9158」を製品化したと発表しました。この基板は、スイッチング周波数500 kHzで動作し、48 V～54 Vの入力電圧を、安定化された12 V出力に変換し、1相当たり最大25 A、または、合計連続電流50 Aを供給できます。EPCの超効率GaN FETと、米アナログ・デバイセズの新しい同期整流型GaNバック・コントローラLTC7890との組み合わせによって、高電力密度用途向けの小さなフットプリントで、非常に高効率なソリューションを構成できます。このソリューションは、48 V入力、12 V出力、連続電流50 Aで、効率96.5%を達成しています。
このソリューションは、電力密度が高いため、小型で高効率が要求されるコンピューティング、産業、民生、および通信の各電源システムに最適です。eGaN® FET は、これらの最先端用途の厳しい電力密度要件を満たすことができる高速スイッチング、高効率、小型化に貢献します。
リファレンス・デザインのEPC9158は、100 Vのエンハンスメント・モードGaN FETのEPC2218と、GaNドライバを集積化した2相アナログ・バック・コントローラLTC7890を使っています。
- 100 V、低静止電流Iq、デュアル、2相の同期整流型降圧コントローラLTC7890は、EPCのGaN FETを駆動するように完全に最適化されており、ハーフブリッジ・ドライバとスマート・ブートストラップ・ダイオードを集積しています。最適化されたほぼゼロのデッドタイム、またはプログラム可能なデッドタイムと、最高3 MHzのプログラム可能なスイッチング周波数を提供します。5 µAの静止電流（VIN＝48 V、VOUT＝5 V、チャネル1のみ）によって、非常に低いスタンバイ消費電力と優れた軽負荷時の効率が可能になります。
- EPC2218 は、最大オン抵抗RDS(on)が3.2 mΩ、ゲート電荷QGが10.5 nC、ゲート-ドレイン間電荷QGDが1.5 nC、出力電荷QOSSが46 nC、逆回復電荷QRRがゼロの100 VのGaN FETです。実装面積は3.5 mm×1.95 mmと非常に小さく、最大60 Aの連続電流、ピーク電流231 Aを供給できます。動的パラメータが優れているので、スイッチング周波数500 kHzにおけるスイッチング損失を非常に小さくすることができます。
EPC9158の効率は、12 V出力、48 V入力で96.5%以上です。この基板は、軽負荷動作モードと調整可能なデッドタイムに加えて、UVLO（低電圧ロックアウト）、過電流保護、パワー・グッド出力を備えています。
EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、「DC-DCコンバータで最大の電力密度を達成するには、GaN FETが必要です。アナログ・デバイセズと協力して、先進的なコントローラの利点とGaNの性能を組み合わせて、効率を高め、電力密度を高め、システム・コストを削減する最高の電力密度と少ない部品点数のソリューションをユーザーに提供できることを嬉しく思います」と述べています。
アナログ・デバイセズのシニア・プロダクト・マーケティング・マネージャのTae Hanは、「当社のLTC7890は、高電力密度ソリューション向けにEPCのeGaN FETの高性能を十分に活用するように設計されています。LTC7890は、非常に低い消費電力で動作すると同時に、市場の現在のソリューションを超える高いスイッチング周波数と最適化されたデッドタイムを提供します。これらの新しいコントローラを使うと、ユーザーは、GaNの非常に高速なスイッチングを利用して、最高の電力密度を得ることができます」と語りました。;
米国での参考価格と入手方法
デモ・ボード EPC9158の単価は、480.00米ドルです。米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）から購入でき、即座に配送されます。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術（Lidar）リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
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