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Efficient Power Conversion(EPC)、40 Vの耐放射線 GaN FETを2品種製品化、要求の厳しい宇宙用途向けの新しい性能基準を実現へ

Efficient Power Conversion(EPC)、40 Vの耐放射線 GaN FETを2品種製品化、要求の厳しい宇宙用途向けの新しい性能基準を実現へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、電力変換ソリューション向けの放射線耐性のある(耐放射線)窒化ガリウム(GaN)製品のファミリーを拡張し、定格62 Aおよび 250 Aの 2種の新しい耐圧40 Vのデバイスを製品化しました。宇宙およびその他の高信頼性の厳しい用途に対応します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は7月18日、定格40 Vの耐放射線(Rad Hard)GaN FET を2品種製品化したと発表しました。「EPC7001」は、実装面積が7 mm2と小さく、耐圧40 V、オン抵抗4 mΩ、パルス電流250 Aの耐放射線GaN FETです。「EPC7002」は、40 V、14.5 mΩ、パルス電流62 Aの耐放射線GaN FETで、実装面積は1.87 mm2と非常に小型です。いずれのデバイスも、ドレイン-ソース間電圧VDSが最大ブレークダウン定格の100%のとき、総線量定格は1000K Rad(Si) 以上で、LET(線エネルギー付与)に対するSEE(シングル・イベント効果)耐性は 83.7 MeV/mg/cm2です。これらの新しいデバイスは、他の耐放射線ファミリーと同様に、チップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版は、米EPC Space.から入手できます。

EPCの eGaN FETとICは、高信頼性および宇宙の用途向けに、従来の耐放射線シリコン・デバイスに代わる高性能の代替品を提供します。EPCの耐放射線デバイスは、耐放射線シリコン・デバイスよりも非常に小型で、電気的性能が40倍優れ、全体のコストが低くなります。さらに、EPCの耐放射線デバイスは、放射線に対して優れた耐性を示し、従来のシリコン・ソリューションと比べて、より高い総放射線レベルとSEE LETレベルをサポートします。

これらのデバイスの性能と迅速な展開の恩恵を受ける用途には、宇宙用途のDC-DCパワー・コンバータ、モーター駆動、Lidar(光による検出と距離の測定)、深部探査、イオン・エンジンなどがあります。これらは、地球低軌道(LEO)と静止地球軌道(GEO)の両方で動作する衛星、およびアビオニクス・システムに特に適しています。

「耐放射線製品のファミリーは、比類のない性能と信頼性を提供し、重要な宇宙遺産と相まって、宇宙やその他の高信頼性の軍事用途など、過酷な環境での幅広い用途をカバーするより高効率で丈夫なシステムを実現します」と共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語っています。

入手方法

EPC7001とEPC7002 は現在、エンジニアリング・サンプルとして入手可能です。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)に基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータリモート・センシング技術(Lidar)リモート・センシング技術(Lidar)、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。

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報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger 電話:1.908.475.5702、電子メール:[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。