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APEC 2024で専門家がGaNとSiCについて意見交換
Posted 2024年3月5日
米Power Electronics News誌のこのビデオでは、半導体企業の著名な講演者たちが窒化ガリウムや炭化ケイ素ベースのパワー・デバイスの画期的な開発についての洞察を説明しています。
GaNの講演者たちは、ワイド・バンドギャップの将来を形作る2つの重要な質問に取り組みます：
- GaNベースのパワー・デバイスの基板材料選択の重要性。彼らは、この選択がデバイスの性能、信頼性、製造性にどのような影響を与えるかについて詳しく説明し、研究者が基板関連の課題にどのように取り組んでいるかについて議論します。
- GaNデバイスが従来のシリコン・ベースのソリューションを上回り、採用が加速され、それぞれの企業の技術の方向性が明らかになっている特定の市場分野。講演者は次のとおりです：
- Robert Taylor、米テキサス・インスツルメンツのアプリケーション・エンジニア／産業アプリケーション担当ゼネラル・マネージャ
- Michael de Rooij、EPCのアプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
- Balu Balakrishnan、米Power IntegrationsのCEO（最高経営責任者）
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