マイクロインバータとパワー・オプティマイザは、エネルギーの効率と変換を最大化するために、最新のソーラー・パネルで広く採用されています。このような回路構成と実装には通常、最低25年の耐用年数が必要ですが、これは市場での採用にとって重要な課題となっています。低電圧窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイス（VDSの定格＜200 V）は有望なソリューションであり、ますます多くの太陽光発電メーカーによって、広く使われています。

この記事では、GaNトランジスタの本質的な基礎となる疲労メカニズムを調査するために、故障するまでのテストのアプローチを採用し、適用しています。この調査によって、太陽光発電用途におけるさまざまなミッション・プロファイルの固有の要求の下で寿命を正確に予測できる物理ベースの寿命モデルの開発が可能になります。

米How2Power誌
2023年8月
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