EPC2057: 50 V、9.6 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 50 V
RDS(on), 8.5 mΩ
ID, 9.6 A
パルスID, 66 A

EPC2057 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ面積:1.5×1.2 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • 絶縁型DC-DCコンバータ/li>
  • USB-Cバッテリー充電器
  • LED照明/li>
  • 12 V~24 V入力のモーター駆動

利点

  • 超高効率
  • 逆回復なし
  • 超低QG
  • 小さな実装面積
ステータス:推奨
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか?
GaNエキスパートに聞く