eGaN® FET の EPC2361 は、36 V～65 V の入力から 48 V を出力するプラットフォームにおいて、大電流で低損失なスイッチングを実現します
エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のパワー・デバイスの世界的なリーダーである EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド） は 10 月 20 日、米アナログ・デバイセズ（ADI）の高性能バック／ブースト（昇降圧型）・コンバータのリファレンス・デザインに、当社の耐圧 100 V の eGaN FET「EPC2361」が採用されたと発表しました。
この設計は、産業機器、通信機器、バッテリー充電、その他大電力が要求されるアプリケーションにおいて、いかに GaN 技術が高効率かつ大電流の電力変換を実現できるかを実証しています。
EVAL-LT7930-AZ は、コントローラ LT7930 と GaN FET の EPC2361 を組み合わせたデュアルフェーズ、インタリーブ方式の昇降圧型コンバータです。36 V～65 V の入力電圧範囲に対応し、48 V の出力を供給します。このプラットフォームは、最大 4 kW の出力電力に対応しており、36 V や 48 V の入力時には効率 98.5%、65 V 入力では効率 98.8%（いずれも標準値）が得られます。これは、EPC の GaN 技術によって可能となる高効率な電力変換を実証しています。
EPC2361 は、100 V、133 A のエンハンスメント・モード GaN トランジスタです。オン抵抗が標準値で 0.75 mΩ、面積 3 mm× 5 mm の小型パッケージに収めています。導通損失が極めて低く、ゲート電荷が小さく、逆回復がないため、大電流で高周波の電力変換用途に最適です。
このリファレンス・デザインの重要な要素は、GaN に特化してスイッチング動作を最適化できる点にあります。パワー段のコントローラは、GaN FET 向けに最適化したゲート・ドライバと、プログラム可能なデッドタイム制御機能を備えています。評価プラットフォーム上では、GaN FET の EPC2361 のパラメータに基づいて、デッドタイムが 10 ns に設定されており、これによって、安全なスイッチング動作を維持しつつ、逆導通損失を最小限に抑えることができます。
「大出力電力変換には、効率的な制御アーキテクチャと低損失なパワー・デバイスを組み合わせることがますます求められています。EVAL-LT7930-AZ は、当社の GaN 技術 EPC2361 と ADI のコントローラ LT7930 を組み合わせることで、小型で高効率な数キロワットの昇降圧プラットフォームを実現できることを実証しています。こうした協力は、パワー設計者が GaN を単なるデバイスとしてだけでなく、高性能なパワー・システム全体を完全なものにします」と EPC の共同創立者で CEO（最高経営責任者）の Alex Lidow（アレックス・リドウ）は語っています。EPC2361 は、高出力 AC-DC 電源、高周波 DC-DC 変換、データセンター向け電源システム、モーター駆動、ロボット、ドローン、太陽光発電の MPPT（最大電力点追従制御）などの用途向けに設計されています。
EPC2361 は、EPC の世界的な販売網、米 Digi-Key、米 マウザー・エレクトロニクス を通じて入手可能です。EPC は、技術者が EPC2361 を評価し、自身の設計に組み込むときに役立つように、デバイスの資料、モデル、評価用ハードウエアなどの包括的な設計資源を提供しています。
EPC について
EPC は、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FET と集積回路は、DC-DC コンバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向け モーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星 などの用途で、最高のパワー MOSFET よりも何倍も高性能です。ウエブサイトは www.epc-co.com/epc/jp です。
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eGaN は、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。
報道関係の問い合わせ先 Efficient Power Conversion: Maurizio Di Paolo Emilio 電話：+39 3381426036 電子メール：[email protected]
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