窒化ガリウム(GaN)のFETとICのプロダクト・セレクタ・ガイド

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周波数特性の向上と超低オン抵抗RDS(ON)によって、eGaN FETと集積回路は、標準のシリコンMOSFETを使う用途の性能を向上させ、シリコン技術では実現できなかったアプリケーションを可能にします。窒化ガリウム・デバイスは、スペースを節約し、効率を向上し、製造効率を高め、システム・コストを削減できます。