宇宙用途の技術は、2021年の重要な部分であり、したがって、放射線耐性のある部品がさらに前面に出てきています。最近、2つの新しいFETが登場しましたが、それらはこの宇宙に何をもたらすのか？

米オンライン・ニュースAll About Circuits
2021年6月
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Efficient Power Conversion (EPC) は、要求が厳しい宇宙船や、その他の高信頼性環境での電力変換ソリューション向けに、放射線耐性（耐放射線性）を強化した窒化ガリウム（GaN）製品の新しいファミリーを製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月8日、放射線耐性を強化した窒化ガリウムのトランジスタと集積回路の新しいファミリーの製品化を発表しました。GaN ベースのパワー・デバイスは、より高いブレークダウン強度、より高速なスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、シリコン・ベースのデバイスを大幅に凌駕します。抵抗とゲート電荷が小さいため、電源のスイッチング周波数を高くできるので、厳しい宇宙船ミッション向けのより高い電力密度、より高い効率、より小型軽量な回路を実現できます。窒化ガリウムは、本質的に放射線耐性があるので、GaN ベースのデバイスは、宇宙用途向けの信頼性が高く高性能なパワー・トランジスタの選択肢になります。

このポッドキャストでは、Alex LidowとMarti McCurdy氏が、窒化ガリウム（GaN）・デバイスの改善におけるEPCの故障までテストする方法について議論します。Alexによると、故障するまでテストすることによって、EPCは、故障の原因となるストレス源を正確に取り除き、GaNデバイスの信頼性を商用デバイスの10〜100倍、さらには宇宙用途の100倍にまで向上させることができました。

AlexとMartiは以下について話しました：

（1:30）なぜ故障するまでテストするのか
（4:14）故障データとストレス源から学ぶ
（11:38）安全動作領域
（14:30）機械的ストレス源
（17:45）EPC Space

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窒化ガリウム・パワー・デバイス技術は、これまでに達成できなかったより高い周波数、より高い効率、およびより高い電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。GaNパワー・デバイスは、デバイスの設計によって、シリコンMOSFETと比べて優れた放射線耐性が得られる可能性があります。

英Power Electronics Europe誌
2020年12月
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シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。シリコンMOSFETは、パワー・エレクトロニクスの理論上の限界に達しており、基板スペースが限られているため、パワー・システムの設計者は代替品を必要としています。窒化ガリウム（GaN）は、高電子移動度トランジスタ（HEMT）半導体であり、新たに出現したアプリケーションに真の付加価値を提供しています。

米EETimes誌
2020年8月
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GaNパワー・トランジスタは、極めて厳しい宇宙ミッションをサポートするためのパワーやRFの用途に対して理想的な選択肢です。米EPC Space社は、新しいeGaN^®ソリューションによって宇宙の商用衛星の厳しい用途向けに特別に設計されたデバイスに対して、耐放射線特性やSEE（シングル・イベント効果）の耐性を保証します。これらのデバイスは、非常に高い電子移動度と、非常に低いオン抵抗R_DS(on)値と共に小さい温度係数を備えています。

米EETimes誌
2020年7月
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エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）技術は、これまで実現できなかった高周波、高効率、高電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。 eGaNデバイスは、シリコンMOSFETと比べて、優れた耐放射線性も示します。

独Bodo’s Power Systems
2020年6月
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合弁企業であるEPC Space社は、先進的な高信頼性の窒化ガリウム（GaN）電力変換ソリューションを環境が厳しい宇宙やその他の高信頼性環境に提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）と米 HEICO社（NYSE：HEI.A）（NYSE：HEI）傘下の米VPT社は6月16日、衛星や高信頼性用途向けパッケージに封止し、テストし、認定された耐放射線特性を強化した（Rad Hard）GaNオン・シリコンのトランジスタとICの設計と製造に焦点を当てた合弁会社EPC Space社を設立したと発表しました。

この記事では、宇宙空間への旅行を可能にした宇宙船の忘れられた、または、ほとんど気づかれていない部分、つまり、宇宙船のパワー・マネージメント（電源管理）について説明しました。窒化ガリウム（GaN）、炭化ケイ素（SiC）、さらに、ダイヤモンドなどのワイド・バンドギャップ半導体は、シリコンの発見以来、将来の電子部品の最も有望な材料と期待されています。これらの技術は、その設計に依存する電力能力（直流およびマイクロ波）、放射線耐性、高温および高周波の動作、光学特性、さらには低雑音能力という点で大きな利点があります。したがって、ワイド・バンドギャップ部品は、次世代の宇宙搭載システムの開発にとって戦略的に重要です。eGaNデバイスは、宇宙産業で急速に存在感が大きくなっており、NASA、および、Artemis（アルテミス：Advanced Relay and Technology Mission、欧州宇宙機関が開発した衛星間光通信などの高度な通信技術の実証を目的とした試験用の静止データ中継衛星）のような将来のプログラムや世界中の国々での宇宙への取り組みを追求するこの他のプログラムにおける商業的な請負業者によって、このデバイスの多くの用途が生まれてくるでしょう。

米Power Systems Design誌
2019年11月
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小型衛星は、地球低軌道（LEO）のミッションに対して、より費用効果の高いアプローチであり、世界中に低コストのインターネット・アクセスを提供することに貢献します。このアプリケーションでは、耐放射線特性を強化したパルス幅変調コントローラとGaN FETドライバとを組み合わせたGaN FETは、従来のシリコンの対応品と比べて、より高効率なスイッチング、より高い動作周波数、より低いゲート駆動電圧、より小さなソリューション・サイズを実現可能にします。

英Electronics Weekly誌
July, 20192019年7月 記事を読む

カリフォルニア州ミルピタス発のPRNewswire：革新的なパワー・マネージメント（電源管理）と高精度アナログ・ソリューションのリーディング・プロバイダである米インターシル社（NASDAQ：ISIL）は本日、衛星や他の過酷な環境のアプリケーション向けに、窒化ガリウム（GaN）の電力変換ICを含めた市場をリードする耐放射線ポートフォリオを拡張する計画を発表しました。

米PR Newswire誌
2016年5月25日
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Freebird Semiconductor社とEfficient Power Conversion（EPC）社は、eGaN^®のパワー・トランジスタや集積回路を利用して、Freebird社が宇宙や過酷な環境の用途で信頼性高く使える製品を開発することで合意しました。

米Freebird Semiconductor社（本社：マサチューセッツ州ノース・アンドーバー）は2016年4月14日、エンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタのリーディング・プロバイダであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）と、EPC社のeGaN^®技術を利用して、宇宙や過酷な環境の用途で信頼性高く使用できる製品を開発するための契約を締結したと発表しました。