EPC社のCEO（最高経営責任者）で共同設立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、ブルームバーグ・ラジオで、半導体の世界におけるM＆A（合併と買収）の突風、および、企業全体にわたって、いかにGaNがシリコンを置き換えるか、について説明しています。

インタビューを聞く

「半導体業界の大企業や中小企業の多くは、実際、まるで医薬品分野のように、研究開発を外部委託する分野になるでしょう」とEfficient Power Conversion社のCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。このシナリオの中で、米Qorvo社や米インターシル社が魅力的な標的になると語っています。

しかし、統合は、半導体業界の技術革新に暗黒時代をもたらす可能性があると考えています。

米フォーブス誌
2015年11月23日
By: Antoine Gara
記事を読む

市場調査会社Transparency Market Researchの最新の調査報告書によると、2012年に3億7982万米ドルだった世界的なGaN半導体デバイスの市場は、2019年末までに22億373万ドルに達し、2013年から2019年までの予測期間中に、年平均成長率（CAGR）が24.6％と驚くべき成長を記録すると予測しています。

米Industry Today誌
2015年10月14日
記事を読む

近年、ムーアの法則によって予測された加速度が減速しています。しかし、シリコンは、より高速で、より小型なトランジスタを作るための新材料に道を譲るでしょう。

米New York Times紙
By: John Markoff
2015年9月26日
記事を読む

エンジニアリング王朝の末裔Alex Lidowは、ハイテク産業の中心で本質的な材料を変える必要があると考えています。Lidow（60歳）は現在、Efficient Power Conversionという会社のトップであり、窒化ガリウムからトランジスタや半導体を作るというハイテクの世界で最も騒々しい提唱者の１人です。シリコンは、伝統的に、技術産業が依存するトランジスタや半導体に使われています。これは驚くほど儲かるビジネスです：米国ベースの会社を代表している半導体工業会によれば、世界の半導体産業は、昨年だけで約3358億米ドルの売上高がありました。

米Fast Company誌
2015年9月
記事を読む

Alexが2007年に設立した会社は、Efficient Power Conversion（EPC）という名称で、GaNをさまざまなモノに利用するための最前線の仕事に完全に特化しています。その応用には、ワイヤレス・パワー伝送、D級オーディオ・アンプ（小さな回路基板を用い、発熱が小さく、ポータブル機器の電池寿命が延びます）、そして、地図の作成や気象学で有用な3次元画像を即座に作成するために設計されたパルス・レーザーやLiDAR（光による検出と距離の測定）があります。

By: Bruce Rogers
米フォーブス誌
2015年9月3日
記事を読む

電力のコストは、社会経済的活力のキー・ドライバであり、私たちの生活の質を改善し、新しいアプリケーションや産業を推進することができます。GaN（窒化ガリウム）は、伝統はありますが、成熟したシリコン・ソリューションを置き換える技術として出現し、もっと、もっと効率的に電力を使いたいという私たちの需要に応え続けることができます。

ビデオを見る

拡大する産業が活況を呈している場合、通常、買収や統合のレースは、一般的に反対側の反映です ―― 成熟における緩やかな成長期は、しばしば、いったん高度飛行の領域になります。多くの産業は、スターダムの期間を経験し、急で着実な降下へと続きます。一方で、私たちの社会経済の活力に対する中心的な基幹産業でこれが発生した場合、私たちは非常に懸念すべきです。

米フォーブス誌
2015年6月26日
記事を読む

窒化ガリウムを活用するための努力は、シリコン・ベースの半導体チップによって改善が遅れていた技術的および経済的な要因に部分的に応えます。企業は、まだシリコンに小さいトランジスタを形成する方法を探っていますが、コストや消費電力の削減を達成することが、ますます難しくなってきています。しかし、窒化ガリウム回路は、オンとオフのスイッチングが、シリコンよりもはるかに高速で、より高い電圧を扱うことができます、とEPC社のCEO （最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。特に、電力変換を伴う仕事には、最適な材料を言えます。

米ウォール・ストリート・ジャーナル誌
2015年6月22日
記事を読む

電力変換には、さまざまな電気機器を機能させるために、電気をある形態から別の形態に変換する非常に小型のデバイスを生み出す必要があります。今までは、シリコンが、電力変換処理の好ましい媒体となっていましたが、その効果の限界に達するにつれ、新しい材料への関心が高まってきています。

米Los Angeles Business Journal誌
2015年6月21日
記事を読む

米Integrated Device Technology（IDT^®）社（NASDAQ：IDTI）は本日、高速、高効率で広く知られている半導体材料である窒化ガリウム（GaN）に基づく技術を開発するために、Efficient Power Conversion（EPC）社との協業を発表しました。この協業の下で、両社は、業界をリードするIDT社のソリューションとEPC社のeGaN^®技術の統合について検討します。

プレスリリースの全文を読む

EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidowが、優れた性能、小型化、高い信頼性、低価格であるeGaN FETの新しいファミリーについて、米Power Systems Design誌のAlix Palutre氏に語りました。この内容は、シリコンMOSFETの代替品として、GaNトランジスタが普及するための最後の壁が崩壊していることます。

インタビューを聞く
米Power Systems Design誌
2015年4月29日

ムーアの予測は、自己達成的予言となりました。チップの計算能力は、24カ月ごとに2倍になっただけでなく、24カ月ごとに2倍にならなければならなくなり、ハイテク産業、そして経済全体は、悲惨な結末に苦しみ、イノベーションと経済の発展を抑圧しています。

記事を読む
米re/code誌
Alex Lidow
2015年4月17日

チップの進歩は、次々と起こる技術革新の原動力となっています――パソコン、インターネット、スマートフォン、スマートウォッチ、そして、すぐに自動運転車。III-V族の材料に未来を賭けている1つの企業がEfficient Power Conversion社で、最高経営責任者（CEO）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が率いる34人のスタートアップ企業です。EPC社は、すでに窒化ガリウム（GaN）で作ったIII-V族の層を組み込んだデバイスからの収益で安定に成長しています。2016年か2017年には、コンピュータ・プロセッサで思考を行う論理回路として動作するように、窒化ガリウムの製造プロセスを対応させようとしています。窒化ガリウムの電気的特性のため、従来のシリコンを超えて、「すぐに、何1000倍もの潜在的な改善を実現できます」とも語っています。

記事を読む
米CNET.com誌
2015年4月17日

米VentureBeat誌のDean Takahashi氏がAlex Lidow（アレックス・リドウ）を紹介：シリコン・チップは、現代のエレクトロニクスの基盤として数10年の長きにわたって利用されています。しかし、化合物材料の窒化ガリウム（GaN）に基づく新しい種類のチップは、高性能、低消費電力、低コストなので、シリコンの座を奪うとみられています。

記事を読む
米VentureBeat誌
2015年4月2日

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）トランジスタは、5年以上も前から市販されています。市販のGaN FETは、最先端のシリコン・ベースのパワーMOSFETよりも、より高性能でより低コストになるように設計されています。この成果は、あらゆる技術が、性能とコストの両方に関してシリコンと対抗してきた60年の歴史で初めてのことであり、これは、尊敬に値するが成熟しているパワーMOSFETの究極の置き換えとなる兆しです。

米EDN誌
Alex Lidow
2015年2月18日

EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、シリコンに対する超高効率な代替品の開発に自身のキャリアの大半を費やしてきました。ブルームバーグTVのインタビューを聞く。

ビデオを見る
米ブルームバーグTV
2015年2月17日

60年ぶりに出現した新しい高性能の半導体技術は、対抗するシリコンよりも安価に製造することができます。窒化ガリウム（GaN）は、トランジスタ性能の飛躍的な向上と、シリコンよりも低コストで製造できることの両方が実証されています。GaNトランジスタは、従来のいかなるトランジスタよりも、高電圧、大電流を高速にスイッチングできる能力によって、新しいアプリケーションへの束縛を解き放ちます。この並はずれた特性は、未来を変えることができる新しいアプリケーションを牽引しています。これは、ほんの始まりにすぎません。

記事を読む

米EDN誌
By: Alex Lidow
2015年1月

米市場調査会社The Information Networkによると、SiCとGaNのパワー半導体市場は、2011年と2017年の間に年平均成長率（CAGR）63％で成長し、約5億米ドルに達すると予想されています。

米Compound Semiconductor誌
2014年10月
記事を読む

GaNオン・シリコンFETでパワー・デバイス市場に押し寄せる意図、EPC社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が将来の市場機会について米Compound Semiconductor誌に語りました。

米Compound Semiconductor誌
2014年7月
記事を読む